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安森美半导体推出全碳化硅MOSFET模块解决方案 用于电动汽车充电

   日期:2021-06-10     浏览:27    评论:0    
核心提示:6月7日,推动节能创新的安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一对1200 V全碳化硅(SiC)MOSFET 2-PACK模块,进一步增强其产

6月7日,推动节能创新的安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一对1200 V全碳化硅(SiC)MOSFET 2-PACK模块,进一步增强其产品系列,从而适应充满挑战的电动汽车(EV)市场。

随着电动汽车销量持续增长,基础设施需要不断完善以满足驾驶员需求,如提供快速充电站网络,从而使汽车可以快速完成行程,且不会有“里程焦虑”。随着这种需求不断发展,对于充电功率超过350 kW,效率超过95%的要求也成为“常态”。由于部署充电桩的环境和地点多样,设计人员面临着多种挑战,包括紧凑型、稳健性和增强的可靠性。

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(图片来源:安森美半导体)

全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模块基于平面技术打造,适用的驱动电压为18-20 V,且易于使用栅极负电压进行驱动。与沟槽型MOSFET相比,较大的裸芯片可降低热阻,从而在相同工作温度下降低裸芯片温度。

NXH010P120MNF1配置为2-PACK半桥架构,是采用F1封装的10 mohm器件,而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚,非常适合工业应用,此外还采用嵌入式负温度系数(NTC)热敏电阻,有助于温度监控。

作为安森美半导体电动汽车充电生态系统的一部分,全新碳化硅MOSFET模块旨在与驱动器解决方案(如NCD5700x器件)一起使用。最近推出的NCD57252双通道隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器提供5 kV的电流隔离,可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。

NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装,接受逻辑电平输入(3.3 V、5 V和15 V)。由于典型传播延迟为60ns,该高电流器件(在米勒平台电压下,源电流为4.0 A/灌电流为6.0 A)适合高速工作。

安森美半导体的碳化硅MOSFET与全新模块和栅极驱动器形成互补。与类似的硅器件相比,该碳化硅MOSFE可提供卓越的开关性能和增强的散热性能,从而以提高效率和功率密度、改善电磁干扰(EMI)、并减小系统尺寸和减少重量。

最近发布的650 V碳化硅MOSFET采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,可为(RDS(on)*area)提供一流的品质因数(FoM)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC等系列器件可为D2PAK7L / TO247封装的MOSFET提供市场上最低的RDS(on)。

1200 V和900 V N通道碳化硅MOSFET芯片尺寸较小,可降低器件电容和栅极电荷(Qg –低至220 nC),从而降低电动车充电桩所需高频工作的开关损耗。


 
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