据外媒报道，新加坡-麻省理工学院研究与技术联盟中心(SMART）低能耗电子系统（LEES）跨学科研究小组，与麻省理工学院(MIT)和新加坡国立大学(NUS)的研究人员发现了一种方法，可以量化在不同铟浓度下氮化铟镓(InGaN)量子阱中的成分波动状况。
（图片来源：MIT）
InGaN发光二极管(LED)以其高效、耐用、成本低的特点，给固态照明领域带来了革命性变化。通过改变InGaN化合物中的铟浓度，可以改变LED发出的光线颜色，有可能覆盖整个可见光光谱。在通信、工业和汽车应用方面，铟含量少于镓的InGaN LED，如蓝色、绿色和青色LED，获得了巨大的商业成功。然而，铟浓度较高的LED，如红色和琥珀色LED，其效率会随着铟含量的增加而下降。
由于效率下降，InGaN在红色和琥珀色光谱中性能较差。目前，红色和琥珀色LED用磷化铝铟镓(AlInGaP)材料代替InGaN制成。开发可覆盖整个可见光光谱的InGaN LED，能够大大降低生产成本。要做到这一点，首先要了解并克服效率下降的问题。
该团队采用多面化方法来探讨成分波动的根源，及其对InGaN LED效率的潜在影响。在高铟含量InGaN LED中，准确测定成分波动非常重要，有助于了解其在效率下降方面起到的作用。这种多面化方法利用协同研究来检测InGaN量子阱中的铟成分波动，将互补的计算方法、先进的原子尺度表征和图像处理自主算法结合在一起。
研究人员表示，了解InGaN在不同铟浓度下的原子分布，是开发使用InGaN LED平台的下一代全彩显示器的关键。而且，这种方法具有普遍适用性，可用于其他研究成分波动的材料科学研究。
研究发现，在铟含量相对较低的InGaN中，铟原子呈随机分布状态。另一方面，在铟含量较高的InGaN中观察到部分相分离，其中随机成分波动与一些富铟区域同时存在。
通过这些发现，可以进一步了解InGaN原子微结构及其对LED性能的潜在影响，为未来的研究铺平道路，以确定成分波动在新一代InGaN LED中的作用，并设计防止这些器件退化的策略。
